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Issue A .1 12/06
Page 2 of 3
Slotted Optical Switch
OPB660N, OPB660T
Electrical Characteristics (T
A
 = 25癈 unless otherwise noted)
SYMBOL
PARAMETER
MIN TYP MAX UNITS
TEST CONDITIONS
Input Diode
V
F
    Forward Voltage
-    -    1.6    V   I
F
 = 10 mA
I
R
    Reverse Current
-    -    100    礎   V
R
 = 3 V
Output Phototransistor
V
(BR)CEO
  Collector-Emitter Breakdown Voltage    24    -     -     V   I
CE
 = 100 礎
BV
ECO
   Emitter Reverse Breakdown Voltage    0.4    -     -     V   I
EC
 = 100 礎
I
CEO
   Collector-Emitter Dark Current
-    -    100    礎   V
CE
 = 5 V
Combined
V
SAT
   Collector-Emitter Saturation Voltage     -    -    0.4    V   I
F
 = 10 mA, I
C
 = 100 礎, (gap unblocked)
I
C(ON)
   On-State Collector Current   
600   -     -    礎   I
F
 = 10 mA, V
CE
 = 5 V
Absolute Maximum Ratings (T
A
=25癈 unless otherwise noted)
Storage & Operating Temperature Range
-40?C to +100?C
Lead Soldering Temperature [1/16 inch (1.6mm) from the case for 5 sec. with soldering iron]
(1)
 
260癈
Input Diode
Forward DC Current
50 mA
Peak Forward Current (1 約 pulse width, 300 pps)
1 A
Reverse DC Voltage
3 V
Power Dissipation
(2)
 
100 mW
Output Phototransistor
Collector-Emitter Voltage
24 V
Collector DC Current
30 mA
Power Dissipation
(3)
 
200 mW
Notes:
(1) RMA flux is recommended. Duration can be extended to 10 seconds maximum when flow soldering. A maximum of 20 grams
force may be applied to leads when soldering.
(2) Derate linearly 1.33 mW/?C above 25?C.
(3) Derate linearly 2.0 mW/?C above 25?C.
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